Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 44.200.141.122
    [SESS_TIME] => 1711691588
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 4d8b370ba7f5e34841c6e95fd347e82c
    [UNIQUE_KEY] => 45665e79d21e109bb528057dbfaece03
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Прикладная механика и техническая физика

2010 год, номер 4

Волновые процессы в наноструктурах, образованных массивами нанотрубок или наноразмерных кристаллов

В. А. Еремеев1, Е. А. Иванова2, Д. А. Индейцев3
1 Южный научный центр РАН, eremeyev.victor@gmail.com
2 Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, elenaivanova239@post.ru
3 Институт проблем машиноведения РАН, ind@director.ipme.ru
Ключевые слова: тонкостенные конструкции, колебания упругих тел, наноструктуры
Страницы: 143-154

Аннотация

Получены основные параметры волновых процессов в структурах, образованных массивами параллельных друг другу наноразмерных кристаллов или нанотрубок, выращенных в направлении, перпендикулярном подложке. Данная задача рассматривается при моделировании поведения наноэлектромеханических систем, например сенсоров, в которых используются такие структуры. Полученные параметры могут быть также использованы для определения эффективных упругих характеристик нанообъектов, образующих эту структуру.