Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.226.254.255
    [SESS_TIME] => 1711650909
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 24c89f4f95f2cdd8c7206a1239f33a9f
    [UNIQUE_KEY] => 8a3f21b4300def1b5113866e83f3bce8
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Физика горения и взрыва

1999 год, номер 6

Изменение структурного состояния границ зерен при высокоскоростном механическом нагружении.

С. Г. Псахье, К. П. Зольников, Д. Ю. Сараев
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, 634048 Томск

Аннотация

Проведено молекулярно-динамическое моделирование поведения трехмерного кристаллита, содержащего границу зерен специального типа в условиях сдвигового нагружения. Обнаружено, что аккомодация смещений зерен материала может осуществляться за счет структурных изменений межзеренных границ. Кристаллообразная структура зерен может восстанавливаться после прекращения внешнего воздействия. Полученные результаты позволяют глубже понять природу структурного отклика материала при механических нагружениях на атомном уровне.