П. Е. Бережная, М. Ф. Ступак
(Новосибирск)
Страницы: 128–134
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, ЭЛЕМЕНТЫ И СИСТЕМЫ
Используется эффект генерации второй гармоники зондирующего лазерного излучения для экспрессного, локального, неразрушающего контроля количественных и качественных кристаллических характеристик материалов. Представлены технические характеристики и описаны возможности автоматизированной лазерной системы выходного контроля кристаллических параметров полупроводниковых материалов. Данная система позволяет в течение нескольких минут определить ориентацию кристаллографических осей с погрешностью
0,1
o в локальных приповерхностных областях (диаметром
100 мкм, глубиной 0,1–1,0 мкм), выявить наличие локальных напряжений, создать карты и микрокарты кристаллического качества поверхности и оптического качества объема тестируемых материалов (время картирования
15 мин).