Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2006 год, номер 6

Подвижность неосновных носителей заряда в пленках p-КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии и легируемых мышьяком in situ

Д. Ю. Протасов1, С. А. Дворецкий1, В. Я. Костюченко2, В. С. Крылов2, Н. Н. Михайлов1, Р. Н. Смирнов1
1Институт физики полупроводников СО РАН,
г. Новосибирск E-mail: protasov@thermo.isp.nsc.ru
2Сибирская государственная геодезическая академия, г. Новосибирск
Страницы: 86-92
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ, ЭЛЕМЕНТЫ И СИСТЕМЫ

Аннотация

Проведено исследование температурных зависимостей коэффициента Холла и магнитосопротивления гетероэпитаксиальных структур p-CdxHgx-1Te (КРТ) состава XCdTe = 0,22–0,23, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках (013)GaAs. С помощью методов многозонной подгонки и методом "спектра подвижности" получены основные электрофизические параметры: концентрация и подвижность электронов и дырок. Определено, что при температурах 125–165 К подвижность электронов в легированном мышьяком p-CdxHgx-1Te в 1,5–2 раза меньше, чем в p-CdxHgx-1Te, проводимость которого определяется вакансиями ртути. Однако за счет более высокого времени жизни длина диффузии электронов, рассчитанная по формуле Эйнштейна, в легированном мышьяком p-CdxHgx-1Te в 2–2.5 раза выше, чем в вакансионном. Уменьшение подвижности при легировании мышьяком, возможно, связано с появлением дополнительного рассеяния на нейтральных атомах As и ростовых дефектах.