Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.223.107.149
    [SESS_TIME] => 1713414881
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => c970f46159439cb2dc84ae96a5030f97
    [UNIQUE_KEY] => d23476726936b253b22f506e5dd9802f
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2009 год, номер 4

ЗАРОЖДЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В НАНОРАЗМЕРНЫХ SiGe-ОСТРОВКАХ, ФОРМИРУЕМЫХ В ПРОЦЕССЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА

В. А. Зиновьев
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова
zinoviev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: наноструктуры, гетероэпитаксия, зарождение дислокаций, моделирование
Страницы: 60-65

Аннотация

Предлагается модель пластической релаксации наноостровков, способная предсказать критические характеристики (форму, размер, элементный состав), при которых вводятся дислокации. Проводится теоретическое рассмотрение начальной стадии пластической релаксации трехмерных островков, формирующихся в процессе гетероэпитаксии в режиме Странского - Крастанова, на примере гетеросистемы Ge/Si(100). Исследование базируется на сочетании численного и аналитического подходов к расчету деформаций в трехмерном островке, содержащем дислокацию. Подтверждается, что зарождение дислокаций в трехмерных SiGe-островках не лимитируется кинетическим барьером.