Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 18.220.154.41
    [SESS_TIME] => 1713861385
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 83949e032dd635289ab6145aef6d2ef9
    [UNIQUE_KEY] => 9a836e665ea81fe9cd819efe976e41c2
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2009 год, номер 6

ОПЕРАТИВНЫЙ МЕТОД КОНТРОЛЯ СБОРОК FLIP–CHIP

А. Р. Новоселов, И. Г. Косулина
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
novoselov@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: фотоприемники, технология flip-chip, индиевые столбы связи, адгезия, усилие на отрыв
Страницы: 119-122

Аннотация

Рассмотрен разрушающий метод исследования прочности сборок flip-chip (в частности, фотоприемников), заключающийся в отрыве одной микросхемы от другой с нагревом (не ниже 383 К) после термоциклирования. Метод позволяет контролировать адгезионные свойства столбов связи, например индиевых, в сборках flip-chip, определить причины разрушения связи в фотоприемниках. Представлены примеры причин отказов в работе охлаждаемых фотоприемников на основе МЛЭ КРТ.