Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.144.93.73
    [SESS_TIME] => 1713438413
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => eadde58f677194c727ab9e5429c23dee
    [UNIQUE_KEY] => 7b0427f5ee4dc674ac81de9715e5def7
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2010 год, номер 3

НИЗКОВОЛЬТНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПРОГРАММИРУЕМОЙ ПОЛЕМ ДИНАМИЧЕСКОЙ ДИФРАКЦИОННОЙ РЕШЁТКИ

Э. Г. Косцов, В. С. Соболев
Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН,
630090, г. Новосибирск, просп. Академика Коптюга, 1,
kostsov@iae.nsk.su, sobolev@iae.nsk.su
Ключевые слова: микроэлектроника, микроэлектромеханика, микрооптоэлектромеханика, микрооптика, дифракционная решётка, электростатика
Страницы: 101-109

Аннотация

Описывается новый элемент управляемой полем дифракционной решётки (Grating Light ValveTM diffractive MOEMS device - GLV), который отличается от известных подобных элементов физическим принципом работы и конструкцией, а также значительно более низким управляющим напряжением, отсутствием гистерезиса и возможностью работы в аналоговом режиме. Представлены экспериментальные характеристики элемента GLV.