ИНТЕРФЕРЕНЦИОННАЯ ФОТОЛИТОГРАФИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ РЕЗИСТОВ НА ОСНОВЕ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ
В. А. Данько, И. З. Индутный, В. И. Минько, П. Е. Шепелявый
Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарёва НАН Украины, 03028, г. Киев, просп. Науки, 41, danko-va@ukr.net, indutnyy@isp.kiev.ua, spe@isp.kiec.ua
Ключевые слова: интерференционная литография, халькогенидный неорганический фоторезист, иммерсия, травление, периодический рельеф
Страницы: 103-112
Аннотация
Исследовано применение халькогенидных стеклообразных полупроводников в качестве неорганического вакуумного фоторезиста для получения периодического рельефа на подложках разного состава. Показано, что халькогенидный резист может быть успешно реализован в сочетании с интерференционной (в том числе иммерсионной) литографией для формирования одно- и двумерных субмикронных периодических структур с пространственной частотой от 300 до 8000 мм-1. Разработаны технологические процессы получения рельефных структур и литографических масок с субмикронными размерами элементов на полупроводниковых, диэлектрических и металлических подложках, описаны их возможные применения.
|