Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 4

ОБ ЭФФЕКТИВНОСТИ ГЕНЕРАЦИИ ТЕРАГЕРЦОВОГО ИЗЛУЧЕНИЯ В КРИСТАЛЛАХ GaAs, InAs и InSb

В. Д. Анцыгин, Н. А. Николаев
Учреждение Российской академии наук Институт автоматики и электрометрии Сибирского отделения РАН
antsigin@iae.nsk.su, nazar@iae.nsk.su
Ключевые слова: генерация терагерцового излучения, фотоэффект Дембера
Страницы: 23-30

Аннотация

Экспериментально исследована импульсная генерация терагерцового излучения в полупроводниках GaAs, InAs и InSb под действием фемтосекундного лазерного излучения на длине волны 775 нм. Показано, что помещение InAs в магнитное поле 0,8 Тл приводит к увеличению эффективности генерации в 2,7 раза. Продемонстрировано увеличение эффективности генерации за счёт механизма оптического выпрямления при использовании образцов InAs ориентации 〈111〉.