Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 3.145.12.1
    [SESS_TIME] => 1713407898
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 41dc0dfcffba2f1853af68784aac1bfc
    [UNIQUE_KEY] => 14f12d8490051cadd859d11e7f15aa60
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2011 год, номер 5

ПРИМЕНЕНИЕ НЕОХЛАЖДАЕМЫХ МАТРИЧНЫХ МИКРОБОЛОМЕТРИЧЕСКИХ ПРИЁМНИКОВ ДЛЯ РЕГИСТРАЦИИ ИЗЛУЧЕНИЯ ТЕРАГЕРЦОВОГО СПЕКТРАЛЬНОГО ДИАПАЗОНА

М. А. Демьяненко1, Д. Г. Есаев1, И. В. Марчишин1, В. Н. Овсюк1, Б. И. Фомин1, Б. А. Князев2, В. В. Герасимов2
1 Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
2 Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г. И. Будкера Сибирского отделения РАН Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования «Новосибирский государственный университет»
dem_yanenko@thermo.isp.nsc.ru, esaev@thermo.isp.nsc.ru, march@thermo.isp.nsc.ru, acelle@isp.nsc.ru, fomin@thermo.isp.nsc.ru, knyazev@inp.nsk.su
Ключевые слова: неохлаждаемый микроболометр, оксид ванадия, терагерцовое излучение, поляризация, чувствительность, микроантенна, лазер на свободных электронах
Страницы: 109-113

Аннотация

Приведены результаты анализа механизма возникновения чувствительности матричных микроболометрических приёмников на основе оксида ванадия к терагерцовому излучению. Представлены экспериментальные данные исследований возможностей повышения в несколько раз чувствительности микроболометрических приёмников в терагерцовом диапазоне путём использования дополнительного тонкого металлического поглощающего слоя, наносимого на мембрану микроболометра. Обнаружена поляризационная зависимость чувствительности микроболометров в терагерцовом и дальнем инфракрасном спектральных диапазонах. Показано, что чувствительность микроболометров в терагерцовом диапазоне обусловлена поглощением излучения в узких металлических шинах, нанесённых на опорные ножки микроболометров и выполняющих роль омического контакта между термочувствительным слоем и схемой обработки.