Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 54.87.90.21
    [SESS_TIME] => 1711687755
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 371ca8a45d4eec7e45751d9ee2db0a77
    [UNIQUE_KEY] => 1208e4962d5a54d73969c220d3138cac
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2012 год, номер 1

ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВОГО GaAs-ТРАНЗИСТОРА ОТ ПАРАМЕТРОВ ПРОФИЛЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КАНАЛА

А. К. Шестаков, К. С. Журавлев
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
shestakov@thermo.isp.nsc.ru, zhur@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: ПТШ, моделирование, ионная имплантация
Страницы: 124-128

Аннотация

Проведено моделирование арсенид-галлиевых ионно-легированных полевых транзисторов с затвором Шоттки и различными профилями легирования. Рассчитаны и проанализированы зависимости статических характеристик транзисторов от параметров профиля легирования. Исследованы физические процессы, определяющие характеристики транзисторов при изменении параметров профиля легирования.