Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2012 год, номер 4

ПРОМЫШЛЕННО ОРИЕНТИРОВАННЫЕ РАЗРАБОТКИ КРЕМНИЕВЫХ МУЛЬТИПЛЕКСОРОВ ДЛЯ МНОГОЭЛЕМЕНТНЫХ ИК-ФОТОПРИЁМНИКОВ

А. И. Козлов, И. В. Марчишин
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
kozlov@isp.nsc.ru, march@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: кремниевый мультиплексор, схема считывания фототоков, ИК-фотоприёмник
Страницы: 60-72

Аннотация

Рассмотрены особенности организации кремниевых мультиплексоров для многоэлементных ИК-фотоприёмников. Представлен обзор промышленно ориентированных разработок линейных (1 × 32, 1 × 288, 1 × 576) и матричных (32 × 32, 128 × 128, 160 × 128, 320 × 256) кремниевых мультиплексоров для считывания фотосигналов детекторов среднего и дальнего спектральных ИК-диапазонов на основе соединений кадмий-ртуть-теллур, свинец-олово-теллур и многослойных структур с квантовыми ямами. Выполнен анализ температурного разрешения матричных ИК-фотоприёмников на базе мультиплексоров с построчным и кадровым накоплением фотосигналов, разработанных с использованием КМОП-технологии с проектными нормами от микронных до глубоко субмикронных. Приведены типичные параметры мультиплексоров и характеристики некоторых ИК-фотоприёмников, созданных в Институте физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.