Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2012 год, номер 4

ПРИБОР ДЛЯ ИССЛЕДОВАНИЯ НЕРАВНОВЕСНЫХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ

В. Н. Вьюхин, Ю. А. Попов
Институт автоматики и электрометрии СО РАН
vvn@iae.nsk.su, popov@iae.nsk.su
Ключевые слова: полупроводниковые структуры, измерительные цепи, измерение ёмкости и заряда, фильтр, усилитель, синхронный детектор
Страницы: 72-78

Аннотация

Создан прибор для исследования динамики релаксации неравновесной ёмкости и заряда в режиме неравновесного обеднения полупроводниковых МДП-структур. Разработаны методы измерений, которые обеспечивают по каналам измерения ёмкости и заряда чувствительность до 0,03 пФ и 0,02 пКл при длительности фронта 1,5 мкс и 0,7 мкс соответственно. Результаты получены при двойной амплитуде тестового сигнала измерения ёмкости ~15 мВ и частоте 5 МГц. Реализован режим измерения вольт-фарадных характеристик при длительности развёртки до 100 с.