Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 54.196.27.171
    [SESS_TIME] => 1711661862
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 3a70a3394344be1d6a93cc1a60deb411
    [UNIQUE_KEY] => e9d089515562da4ababaf28b487c3aa1
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Журнал структурной химии

2009 год, номер 1

СТРОЕНИЕ МОЛЕКУЛЫ тЕТРАКИС(ТРИХЛОРСИЛИЛ)МЕТАНА, С(SiCl3)4

Ю. С. Ежов1, С. А. Комаров2, Е. П. Симоненко3, Р. Г. Павелко4, В. Г. Севастьянов5, Н. Т. Кузнецов6
1 Институт теплофизики экстремальных состояний ОИВТ РАН, ezhovyus@mail.ru
2 Институт теплофизики экстремальных состояний ОИВТ РАН
3 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
4 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН
5 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
6 2Институт общей и неорганической химии им. Н.С. Курнакова РАН Московская государственная академия тонкой химической технологии им. М.В. Ломоносова
Ключевые слова: газовая электронография, квантовая химия, тетракис(трихлорсилил)метан, строение молекул, внутреннее вращение
Страницы: 160-164

Аннотация

Методами квантовой химии и газовой электронографии (при температуре 303±5 K) определены параметры геометрической конфигурации тетракис(трихлорсилил)метана, С(SiCl3)4. Рассчитаны частоты колебательного спектра. Величина барьера внутреннего вращения групп SiCl3 относительно связи Si-С составляет 148,7 кДж/моль.