Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 54.196.248.93
    [SESS_TIME] => 1711708409
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => bb7afc00432861d1119053beae15d474
    [UNIQUE_KEY] => 8e9fa77d055ed227eab8ab30236dbdb9
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2013 год, номер 5

ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ Ge/Si С КВАНТОВЫМИ ТОЧКАМИ Ge ДЛЯ ФОТОПРИЁМНИКОВ СРЕДНЕГО ИК-ДИАПАЗОНА

А.И. Якимов
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
yakimov@isp.nsc.ru
Ключевые слова: гетероструктуры, квантовые точки, фотодетекторы, кремний, германий
Страницы: 57-67
Подраздел: НАНОГЕТЕРОСТРУКТУРЫ ДЛЯ ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЕЙ И ФОТОПРИЁМНИКОВ

Аннотация

Представлен обзор исследований фотоэлектрических характеристик гетероструктур Ge/SiGe/Si, содержащих слои квантовых точек Ge в матрицах Si и SiGe. В экспериментах варьировались элементный состав плёнок SiGe и его профиль, уровень и профили легирования, положение легированных слоёв Si и SiGe относительно плоскости квантовых точек и число слоёв квантовых точек. На основе проведённых исследований реализованы инфракрасные фотоприёмные элементы, функционирующие при нормальном падении света в окнах прозрачности атмосферы 3–5 и 8–12 мкм. Фотодетекторы характеризуются высокими (до 103) фотоэлектрическим усилением, обнаружительной способностью в фотовольтаическом и фотопроводящем режимах (до 0,8 · 1011 см · Гц1/2/Вт на длине волны около 4 мкм), уровнем чувствительности по току до 1 мA/Вт, работают в режиме ограничения флуктуациями фонового излучения уже при температуре 110 К и способны встраиваться в монолитные матрицы фокальной плоскости на кремниевых подложках.