Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2015 год, номер 4

МОДЕЛИРОВАНИЕ СЕЧЕНИЯ НЕУПРУГОГО РАССЕЯНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ В СЛОИСТЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ФУНКЦИЙ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ СПЕКТРОВ ПЛЁНКИ И ПОДЛОЖКИ

А.С. Паршин1, С.А. Кущенков1, О.П. Пчеляков2, Ю.Л. Михлин3
1Сибирский государственный аэрокосмический университет им. академика М. Ф. Решетнёва, 660014, г. Красноярск, просп. им. газеты «Красноярский рабочий», 31
aparshin@sibsau.ru
2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
pch@isp.nsc.ru
3Институт химии и химической технологии СО РАН, 660036, г. Красноярск, Академгородок, 50, стр. 24
yumikh@icct.ru
Ключевые слова: электронная спектроскопия, сечение неупругого рассеяния отражённых электронов, длина свободного пробега электрона, electron spectroscopy, cross section of inelastic scattering of reflected electrons, mean free path of an electron
Страницы: 114-120
Подраздел: НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ

Аннотация

Представлена методика моделирования сечения неупругого рассеяния электронов в слоистых структурах из экспериментальных спектров сечения неупругого рассеяния отражённых электронов компонентов структур на основе теоретической модели Юберо - Тоугаарда сечения неупругого рассеяния в однородной среде и её обобщения на случай слоистых структур. Методика апробирована на примере исследования спектров сечения неупругого рассеяния в двухслойной структуре SiO2/Si.