Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Array
(
    [SESS_AUTH] => Array
        (
            [POLICY] => Array
                (
                    [SESSION_TIMEOUT] => 24
                    [SESSION_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [MAX_STORE_NUM] => 10
                    [STORE_IP_MASK] => 0.0.0.0
                    [STORE_TIMEOUT] => 525600
                    [CHECKWORD_TIMEOUT] => 525600
                    [PASSWORD_LENGTH] => 6
                    [PASSWORD_UPPERCASE] => N
                    [PASSWORD_LOWERCASE] => N
                    [PASSWORD_DIGITS] => N
                    [PASSWORD_PUNCTUATION] => N
                    [LOGIN_ATTEMPTS] => 0
                    [PASSWORD_REQUIREMENTS] => Пароль должен быть не менее 6 символов длиной.
                )

        )

    [SESS_IP] => 54.243.2.41
    [SESS_TIME] => 1711677038
    [BX_SESSION_SIGN] => 9b3eeb12a31176bf2731c6c072271eb6
    [fixed_session_id] => 923e60aa5e3d392547dfb52015b659ed
    [UNIQUE_KEY] => b1348d5d0a86b6a7e544a3c3e45fa6a7
    [BX_LOGIN_NEED_CAPTCHA_LOGIN] => Array
        (
            [LOGIN] => 
            [POLICY_ATTEMPTS] => 0
        )

)

Поиск по журналу

Автометрия

2017 год, номер 6

ПОЛЯРИЗАЦИОННАЯ ПИРОМЕТРИЯ СЛОИСТЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР В УСЛОВИЯХ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ

И.А. Азаров1,2, В.А. Швец1,2, С.А. Дулин1, Н.Н. Михайлов1,2, С.А. Дворецкий1,3, Д.Г. Икусов1, И.Н. Ужаков1, С.В. Рыхлицкий1
1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
azarov_ivan@mail.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
shvets@isp.nsc.ru
3Томский государственный университет, 634050, г. Томск, просп. Ленина, 36
dvor@isp.nsc.ru
Ключевые слова: тепловое излучение, поляризационная пирометрия, температура роста, лучистый теплообмен, молекулярно-лучевая эпитаксия КРТ, thermal radiation, polarization pyrometry, growth temperature, radiant heat transfer, molecular beam epitaxy of MCT
Страницы: 111-120
Подраздел: НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ

Аннотация

Рассмотрены принципиальные вопросы применения метода пирометрии для контроля температуры при низкотемпературных процессах в технологии производства полупроводниковых структур на примере выращивания слоёв кадмий-ртуть-теллур на подложке GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Предложены оптическая и теплофизическая модели, описывающие процессы лучистого теплообмена в вакуумной камере. На основе этих моделей показано, что при интерпретации измеренных данных пирометра необходимо учитывать излучение от нагревателя, а также отражённый от стенок камеры сигнал, которые сравнимы по величине с измеряемым излучением от образца. Найдены способы выделения полезного сигнала. Проведены эксперименты по измерению температуры пирометром, установленным на технологической камере роста КРТ, показавшие хорошее согласование с теоретическими расчётами.

DOI: 10.15372/AUT20170614