Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

:
:
 
Авторы:
Год выпуска:  до 
Ключевые слова:
   

Дефектно-примесные реакции в полупроводниках.

Васильев А.В., Баранов А.И.
Новосибирск: Изд-во СО РАН, 2001 г., 256 с., ISBN 5-7692-0428-1

Книга посвящена физическим процессам в атомной подсистеме полупроводников, главным образом кремния. Изложение проводится в рамках единого представления: в основе всех процессов лежат реакции между дефектами и примесями, присутствующими в исходном кристалле или вводимыми специальными обработками. Сформулированы общие положения о реакциях и о дефектах в твердых телах. Проведена классификация основных дефектно-примесных реакций в кремнии. Подробно рассмотрены реакции в кремнии с участием кислорода, водорода, углерода; реакции образования метастабильных и радиационных дефектов; взаимосвязь процессов дефектообразования и диффузии. Дан обзор результатов исследований крупных дефектных ассоциаций: термодоноров, разупорядоченных областей, примесных агломератов. Представлена оригинальная теория реакций между нейтральными и заряженными центрами в полупроводниках.
Книга рассчитана как на специалистов в области физики полупроводников, так и на читателей, впервые приступающих к исследованиям процессов в полупроводниковых кристаллах.

120 руб В корзину