ОСОБЕННОСТИ РАСПРЕДЕЛЕНИЯ И СЕГРЕГАЦИИ РЕДКИХ ЭЛЕМЕНТОВ- ПРИМЕСЕЙ ПРИ РОСТЕ КРИСТАЛЛОВ РУДНЫХ МИНЕРАЛОВ В ГИДРОТЕРМАЛЬНЫХ СИСТЕМАХ: ГЕОХИМИЧЕСКИЕ И МИНЕРАЛОГИЧЕСКИЕ СЛЕДСТВИЯ
"В.Л. Таусон1, С.В. Липко1, Н.В. Смагунов1, Р.Г. Кравцова1, К.Ю. Арсентьев2"
"1Институт геохимии им.А.П.Виноградова СО РАН, 664033, Иркутск, ул.Фаворского,1а, Россия
vltauson@igc.irk.ru
2Лимнологический институт СО РАН, Иркутск, 664033, ул.Улан-Баторская, 3, Россия"
Ключевые слова: Рост кристалла, микроэлементы, поверхность, распределение элементов, сегрегация, микровключения, наночастицы, агрегация, благородные металлы, структурные примеси, поверхностно-связанные примеси, Crystal growth, trace elements, surface, element distribution, segregation, microinclusions, aggregation, noble metals, structural impurities, surface-bound impurities
Страницы: 2148-2165
Подраздел: ГЕОХИМИЯ МАГМАТИЧЕСКИХ ПОРОД И РУД ФАНЕРОЗОЙСКИХ ГОРНО-СКЛАДЧАТЫХ ПОЯСОВ
Аннотация
Граничный слой кристалла малорастворимого минерала, растущего в гидротермальных условиях, химически модифицирован в поверхностную неавтономную фазу (ПНФ), и в этом качестве принимает участие в ростовом процессе, осуществляя ряд важных функций. В статье рассматриваются некоторые из них, относящиеся к области геохимии и минералогии. Предлагается новое объяснение следующим явлениям: 1) отбор компонентов при росте кристалла в многофазных ассоциациях; 2) устойчивость многофазных парагенезисов минералов с общим химическим компонентом; 3) двойственный характер коэффициентов распределения, вызванный разными свойствами объема кристалла и ПНФ; 4) образование в минералах нано- и микровключений необычного состава; 5) пространственное упорядочение нано- и микрочастиц при их ориентированной агрегации на грани растущего кристалла; 6) концентрирование в поверхностном слое полезных компонентов, прежде всего благородных металлов (БМ), несовместимых в большинстве минеральных матриц; 7) явление «скрытой» металлоносности, связанное с присутствием БМ в составе ПНФ или, образующихся в результате их эволюции, поверхностных нано- и микровключений.
DOI: 10.15372/GiG20181213
|
