Главная – Журналы – Химия в интересах устойчивого развития 36 номер 7

Проект биполярно-полевого транзистора (IGBT) 50 A 1800 B,изготовленного на пластинах высокоомного бестигельного кремния с ориентацией (100).

"Е. В. ЧЕРНЯВСКИЙ¹, В. П. ПОПОВ¹, Ю. С. ПАХМУТОВ², Ю. Н. МИРГОРОДСКИЙ³, Л. Н. САФРОНОВ¹"
"¹Институт физики полупроводников Сибирского отделения РАН,
проспект Академика Лаврентьева, 13, Новосибирск 630090 (Россия)
E-mail: evgen@isp.nsc.ru
²ОАО "Ангстрем", Южная промзона, Зеленоград, Москва 103460 (Россия)
³Технологический центр МИЭТ, Зеленоград, Москва 103460 (Россия)"
Страницы: 907-910

Аннотация