Главная – Журналы – Автометрия 2004 номер 1

Сравнивается действие двух спектральных областей УФ-света с точки зрения физики дефектообразования и практического использования созданных дефектов для регистрации изображения. Создается локальное околоактиваторное возбуждение аниона в одной из областей УФ-света в D₂-полосе поглощения. Это возбуждение на конечном этапе преобразования приводит к созданию пар близких дефектов (A²⁺… к_i⁰), где активаторный дырочный центр (A²⁺) образуется при ионизации активатора (A⁺), вблизи которого был поглощен D2-квант света. Электронные центры к_i⁰ возникают в процессе, когда инициированные A²⁺-центрами мелкие ловушки заполняются электронами от упомянутого ионизованного активатора. В другой области УФ-облучения (полосе поглощения 1s экситона) в регулярной решетке рождается экситонное возбуждение, которое в момент образования не связано ни с активатором, ни с активаторным дырочным центром. Однако в результате перемещения и релаксации и это возбуждение создает пары близких дефектов (A²⁺…F) на базе уже имеющихся в кристалле A²⁺-центров. За создание пар (A²⁺…F) ответственными, вероятно, являются экситонные поляритоны. Пары близких дефектов (A²⁺…к_i⁰), (A²⁺…F) могут быть использованы для обработки изображений методом фотостимулированной люминесценции, каждый тип пар дает отличающиеся характеристики.