ИНДУЦИРОВАННОЕ УГЛЕРОДОМ ФОРМИРОВАНИЕ НАНООСТРОВКОВ Ge ПРИ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ge/Ca2/Si(111)
Л. В. Соколов, А. С. Дерябин, Е. Е. Родякина
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова sokolov@isp.nsc.ru, das@isp.nsc.ru, rodyakina@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: наноостровки, гетероструктуры, молекулярно-лучевая эпитаксия
Страницы: 56-59
Аннотация
Исследовалось самоформирование наноостровков германия на поверхности фторида кальция с помощью атомно-силовой микроскопии и дифракции электронов на отражение. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена структура Ge/CaF2/Si(111). Нанесением субмонослойного покрытия углерода модифицирована поверхность пленки фторида кальция для стимулирования зарождения наноостровков германия. Обнаружена зависимость параметров массива наноостровков от величины покрытия.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее