ЗАРОЖДЕНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ В НАНОРАЗМЕРНЫХ SiGe-ОСТРОВКАХ, ФОРМИРУЕМЫХ В ПРОЦЕССЕ ГЕТЕРОЭПИТАКСИАЛЬНОГО РОСТА
В. А. Зиновьев
Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова zinoviev@isp.nsc.ru
Ключевые слова: наноструктуры, гетероэпитаксия, зарождение дислокаций, моделирование
Страницы: 60-65
Аннотация
Предлагается модель пластической релаксации наноостровков, способная предсказать критические характеристики (форму, размер, элементный состав), при которых вводятся дислокации. Проводится теоретическое рассмотрение начальной стадии пластической релаксации трехмерных островков, формирующихся в процессе гетероэпитаксии в режиме Странского - Крастанова, на примере гетеросистемы Ge/Si(100). Исследование базируется на сочетании численного и аналитического подходов к расчету деформаций в трехмерном островке, содержащем дислокацию. Подтверждается, что зарождение дислокаций в трехмерных SiGe-островках не лимитируется кинетическим барьером.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее