ОПТИМИЗАЦИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ БЛОКИРУЮЩЕГО ДИЭЛЕКТРИКА В ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ, ОСНОВАННОЙ НА НИТРИДЕ КРЕМНИЯ
Ю. Н. Новиков1, В. А. Гриценко1, К. А. Насыров2 1 Институт физики полупроводников СО РАН им. А. В. Ржанова nov@isp.nsc.ru, grits@isp.nsc.ru 3 Институт автоматики и электрометрии СО РАН nasyrov@iae.nsk.su
Ключевые слова: флэш-память, блокирующий диэлектрик, нитрид кремния
Страницы: 80-84
Аннотация
Показано, что для блокирующего слоя элемента флэш-памяти, основанного на нитриде кремния, существует оптимальная величина диэлектрической проницаемости, что позволяет достичь максимальной величины окна памяти в режимах записи-стирания.
Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее