Главная – Журналы – Прикладная механика и техническая физика / Journal of Applied Mechanics and Technical Physics 1998 номер ...

На модельных экспериментах показано, что определяющим для выращивания кристаллов методом Стокбаргера в условиях вынужденной конвекции и регулирующим процесс кристаллизации является слой расплава, заключенный между фронтом кристаллизации и нагревателем диафрагмы ростовой печи. Свободный объем расплава не влияет на его гидродинамическую и тепловую структуры. Оценены оптимальные временные значения выдержки при постоянных максимальной и минимальной скоростях модулированного вращения ростовой ампулы.