Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2012 год, номер 1

ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛЕВОГО GaAs-ТРАНЗИСТОРА ОТ ПАРАМЕТРОВ ПРОФИЛЯ ЛЕГИРОВАНИЯ КАНАЛА

А. К. Шестаков, К. С. Журавлев
Учреждение Российской академии наук Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова Сибирского отделения РАН
shestakov@thermo.isp.nsc.ru, zhur@thermo.isp.nsc.ru
Ключевые слова: ПТШ, моделирование, ионная имплантация
Страницы: 124-128

Аннотация

Проведено моделирование арсенид-галлиевых ионно-легированных полевых транзисторов с затвором Шоттки и различными профилями легирования. Рассчитаны и проанализированы зависимости статических характеристик транзисторов от параметров профиля легирования. Исследованы физические процессы, определяющие характеристики транзисторов при изменении параметров профиля легирования.
Скачать pdf-версию статьи



Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
Отказаться Принять