Легированные кристаллы GaSe: физические свойства и применение в устройствах прикладной спектроскопии
Ю.М. АНДРЕЕВ1,2, Г.В. ЛАНСКИЙ1,2, К.А. КОХ3, А.Н. СОЛДАТОВ4, А.В. ШАЙДУКО1,2
1Институт мониторинга климатических и экологических систем СО РАН, 634055, г. Томск, пр. Академический, 10/3
yuandreev@imces.ru
2Сибирский физико-технический институт Томского государственного университета, 634050, г. Томск, пл. Новособорная, 1
lansky@yandex.ru
3Институт геологии и минералогии СО РАН, 630090, г. Новосибирск, пр. Академика Коптюга, 3
k.a.kokh@gmail.com
4Национальный исследовательский Томский государственный университет, 634050, г. Томск, пр. Ленина, 36
general@tic.tsu.ru
Ключевые слова: нелинейный кристалл, GaSe, легирование, преобразование частоты, средний ИК-диапазон, терагерцы
Страницы: 846-853
Подраздел: ТЕМАТИЧЕСКИЙ ВЫПУСК
Аннотация
Подведены итоги разработки улучшенных технологий синтеза и выращивания модифицированных легированием нелинейных кристаллов GaSe, методов характеризации и результаты исследования физических свойств, проанализированы параметры разработанных на их основе источников перестраиваемого излучения среднего ИК и широкополосных источников ТГц-диапазонов, приведены первые результаты применения в прикладной спектроскопии.
|
