ЭФФЕКТ ФОРМИРОВАНИЯ И ЗАПОЛНЕНИЯ ИНДИЕМ КАНАВОК В САПФИРЕ ПОД ДЕЙСТВИЕМ ЛАЗЕРНОГО ИЗЛУЧЕНИЯ
А.Р. Новоселов1, А.Г. Клименко2
1Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, 630090, г. Новосибирск, ул. Николаева, 8
novoselov@oesd.ru
2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
klimenko@isp.nsc.ru
Ключевые слова: индий, сапфир, лазерное излучение
Страницы: 102-106
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
Аннотация
В едином технологическом процессе под действием лазерных импульсов формируется канавка на нижней поверхности сапфира с нанесённым слоем индия, который заполняет канавку по мере её образования. Использован импульсный газовый лазер с длиной волны 0,337 мкм. Лазерный луч фокусировали сквозь сапфир на поверхность, покрытую индием. Скорость перемещения сапфира была равномерной, смещение сапфира за время между двумя импульсами составляло 10 % диаметра светового пятна. Для формирования канавки использовался режим сканирования (многократный проход лазерного излучения по канавке). Плотность энергии в импульсе за один проход была достаточно большой. Процесс проводился на воздухе. Выявлено, что оптимальными являются два прохода, когда удельное сопротивление индия в канавке лишь в 3,8 раза превышает удельное сопротивление чистого (99,999 %) брускового индия.
|
