Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2014 год, номер 4

ОПТИМИЗАЦИЯ СТРУКТУРЫ ТРЁХПЕРЕХОДНОГО СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА GaInP/GaAs/Ge СО ВСТРОЕННЫМ БРЭГГОВСКИМ ОТРАЖАТЕЛЕМ Al0,1Ga0,9As/Al0,8Ga0,2As

А.Ф. Скачков
Открытое акционерное общество «Сатурн», 350040, г. Краснодар, ул. Солнечная, 6
afskachkov@mail.ru
Ключевые слова: солнечные элементы, брэгговский отражатель, радиационная стойкость
Страницы: 122-126
Подраздел: ОПТИЧЕСКИЕ ИНФОРМАЦИОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ

Аннотация

Проведена оптимизация структуры трёхпереходного солнечного элемента (СЭ) GaInP/GaAs/Ge со встроенным брэгговским отражателем (БО), в результате которой были снижены потери прошедшего (отражённого) излучения в слоях туннельного диода. Получена оптимизированная структура СЭ с БО методом МОС–гидридной эпитаксии. Изготовлены образцы фотопреобразователей размером 20 × 30 мм. Проведены испытания образцов СЭ с БО и без БО при воздействии потоков электронов с энергией 1 МэВ. Показано, что введением брэгговского отражателя в структуру солнечного элемента и уменьшением толщины базы среднего pn-перехода можно увеличить радиационную стойкость СЭ.