Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2016 год, номер 5

ОПТИМИЗАЦИЯ ОТКЛИКА НАНОПРОВОЛОЧНЫХ БИОСЕНСОРОВ

О.В. Наумова, Б.И. Фомин
"Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
naumova@isp.nsc.ru"
Ключевые слова: биосенсор, отклик, полевой транзистор, biosensor, response, field-effect transistor
Страницы: 21-25
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ

Аннотация

Нанопроволочные полевые транзисторы являются высокочувствительными сенсорными элементами, предназначенными для качественного и количественного анализов биологических и химических веществ. Оптимизация режима работы сенсоров - одна из ключевых задач повышения их чувствительности. Предложен алгоритм выбора режима работы сенсоров на основе КНИ-транзисторов, позволяющий обеспечить их максимальный отклик в процессе мониторинга проводимости при детекции целевых частиц.

DOI: 10.15372/AUT20160503
Скачать pdf-версию статьи



Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
Отказаться Принять