О ТРАНСПОРТЕ ЗАРЯДА В ТОНКИХ ПЛЁНКАХ ОКСИДОВ ГАФНИЯ И ЦИРКОНИЯ
"Д.Р. Исламов1,2, В.А. Гриценко1,2, Ч. Альберт3"
"1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, Россия, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
damir@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, Россия, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2
grits@isp.nsc.ru
3National Chiao Tung University, University Road 1001, Hsinchu, 300, Taiwan ROC
albert_achin@hotmail.com"
Ключевые слова: аморфные плёнки, диэлектрики с высокой диэлектрической проницаемостью, оксид гафния, оксид циркония, транспорт, amorphous films, dielectric with high dielectric permittivity, hafnium oxide, zirconium oxide, transport
Страницы: 102-108
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация
Исследован механизм транспорта заряда в МДП-структурах на основе тонких плёнок оксидов гафния и циркония. Показано, что в изучаемых материалах транспорт лимитируется фонон-облегчённым туннелированием между ловушками. Из сравнения экспериментальных вольт-амперных характеристик МДП-структур n -Si/HfO2/Ni и n -Si/ZrO2/Ni с рассчитанными определены термическая и оптическая энергии ловушек. Продемонстрировано, что вакансии кислорода являются центрами локализации (ловушками) носителей заряда в HfO2 и ZrO2.
DOI: 10.15372/AUT20170212
|
