"МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ БУФЕРНЫХ СЛОЁВ BaF2/CaF2 НА ПОДЛОЖКЕ Si(100) ДЛЯ МОНОЛИТНЫХ ФОТОПРИЁМНЫХ УСТРОЙСТВ"
Н.И. Филимонова, В.А. Илюшин, А.А. Величко
"Новосибирский государственный технический университет, 630073, г. Новосибирск, просп. К. Маркса, 20
ninafilimonova@ngs.ru"
Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, фторид кальция, фторид бария, кремний, буферный слой, АСМ, морфология поверхности, molecular beam epitaxy, calcium fluoride, barium fluoride, silicon, buffer layer, AFM, surface morphology
Страницы: 117-124
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация
Исследование морфологии поверхности эпитаксиальных плёнок BaF2, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии в различных режимах роста на поверхности CaF2/Si(100), проведено методом атомно-силовой микроскопии. Слои CaF2 получены на подложке Si(100) в низкотемпературном режиме роста (Ts = 500 oС). Определены технологические режимы роста сплошных с гладкой поверхностью плёнок BaF2 на СaF2/Si(100), пригодных в качестве буферных слоёв для последующего роста слоёв PbSnTe или других полупроводников типа А4В6 и твёрдых растворов на их основе.
DOI: 10.15372/AUT20170315
|
