"ДИНАМИКА РОСТА СОБСТВЕННОГО ОКИСЛА CdxHg1 - xTe"
"Г.Ю. Сидоров1,2, В.А. Швец1, Ю.Г. Сидоров1, В.С. Варавин1"
"1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
george007@ya.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, г. Новосибирск, ул. Пирогова, 2"
Ключевые слова: естественный окисел, КРТ, эллипсометрия, natural oxide, MCT, ellipsometry
Страницы: 97-105
Подраздел: НАНОТЕХНОЛОГИИ В ОПТИКЕ И ЭЛЕКТРОНИКЕ
Аннотация
Методами лазерной и спектральной эллипсометрии исследован рост собственного окисла Cd x Hg1 - xTe (КРТ). Установлено, что окисление КРТ парами перекиси водорода с самого начала приводит к образованию непоглощающей плёнки оксидов, тогда как при окислении атмосферным кислородом на первых стадиях на поверхности формируются поглощающие слои. После достижения толщины окисла 1-2 нм скорость окисления резко замедляется. Прогревы образцов КРТ при T = 200 ºС, которые перед этим длительно (годами) экспонировались на воздухе при комнатной температуре, приводят к уменьшению оптической толщины окисла.
DOI: 10.15372/AUT20170612
|
