ВЛИЯНИЕ ДИСЛОКАЦИОННОГО ФИЛЬТРА НА ОСНОВЕ LT-GaAs НА СОВЕРШЕНСТВО СЛОЁВ GaAs/Si
"Д.С. Абрамкин1,2, М.О. Петрушков1, Е.А. Емельянов1, М.А. Путято1, Б.Р. Семягин1, А.В. Васев1, М.Ю. Есин1, И.Д. Лошкарев1, А.К. Гутаковский1,2, В.В. Преображенский1, Т.С. Шамирзаев1,2,3"
"1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, 630090, г. Новосибирск, просп. Академика Лаврентьева, 13
demid@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, 630090, Новосибирск, ул. Пирогова, 2
gut@isp.nsc.ru
3Уральский федеральный университет, 620002, г. Екатеринбург, ул. Мира, 19
tim@isp.nsc.ru"
Ключевые слова: эпитаксия, низкотемпературный GaAs, дислокационный фильтр, epitaxy, low-temperature GaAs, dislocation filter
Страницы: 85-92
Подраздел: ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация
Обсуждается влияние дислокационных фильтров, созданных на основе низкотемпературных слоёв (LT) GaAs, и послеростового отжига на совершенство гетероструктуры GaAs/Si. Показано, что слои LT-GaAs снижают плотность прорастающих дислокаций и уменьшают шероховатость поверхности. Послеростовой отжиг при температуре 650 ºС снижает концентрацию центров безызлучательной рекомбинации в слоях GaAs/Si до уровня, близкого к уровню в слоях GaAs, выращенных на согласованной подложке.
DOI: 10.15372/AUT20180210
|
