Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Прикладная механика и техническая физика / Journal of Applied Mechanics and Technical Physics

2019 год, номер 4

Численное исследование релаксации напряжения в наноструктурах в процессе одноосной деформации

"И.Ф. Головнев1, Е.И. Головнева1, М.С. Воронин2,3, Э.Р. Прууэл2"
"1Институт теоретической и прикладной механики им. С. А. Христиановича СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия
golovnev@itam.nsc.ru
2Институт гидродинамики им. М. А. Лаврентьева СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия
mihause@academ.org
3Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, 630087, Россия"
Ключевые слова: метод молекулярной динамики, релаксация напряжения, наноразмерный стержень, дефекты кристаллической решетки, носитель необратимой деформации, molecular dynamics method, stress relaxation, nano-sized rod, crystal lattice defects, carrier of irreversible deformation
Страницы: 111-118

Аннотация

Проведено исследование релаксации напряжения в наноразмерном стержне, содержащем структурные дефекты, в процессе одноосной деформации с постоянной скоростью и определены причины возникновения этого явления. В предположении, что структурные дефекты могут являться носителем необратимой деформации более высокого уровня по сравнению с дислокациями, поставленная задача решена с использованием метода молекулярной динамики. Установлено, что релаксация напряжения сопровождается переходом всей системы в стационарное состояние с более глубоким потенциальным минимумом по сравнению с энергией системы до процесса релаксации напряжения, вследствие чего происходит увеличение температуры и уменьшение компонент тензора деформации.

DOI: 10.15372/PMTF20190412