ИМПУЛЬСНЫЙ ИОННЫЙ ОТЖИГ ГЕРМАНИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО ИОНАМИ СУРЬМЫ
Р.И. Баталов1, Р.М. Баязитов1, Г.А. Новиков1, В.А. Шустов1, Н.М. Лядов1, А.В. Новиков2, П.А. Бушуйкин2, Н.А. Байдакова2, М.Н. Дроздов2, П.А. Юнин2
1Казанский физико-технический институт им. Е. К. Завойского, г. Казань, Россия
batalov@kfti.knc.ru
2Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород, Россия
anov@ipmras.ru
Ключевые слова: германий, сурьма, ионная имплантация, легирование, импульсный ионный отжиг, плавление, кристаллизация, диффузия, плазменное отражение, фотолюминесценция, germanium, antimony, ion implantation, doping, pulsed ion annealing, melting, crystallization, diffusion, plasma reflection, photoluminescence
Страницы: 5-13
Аннотация
В целях формирования сильно легированных донорной примесью слоёв Ge проведена имплантация монокристалла p-Ge двухзарядными ионами сурьмы (Sb++) с энергией и дозой с последующим импульсным отжигом имплантированного слоя Ge:Sb мощными ионными пучками (C+, H+) наносекундной длительности в жидкофазном режиме. Исследованы морфология поверхности, глубинные профили Sb, кристаллическая структура слоя, концентрация электрически активных атомов и фотолюминесценция слоёв Ge:Sb. Данные по глубинному распределению Sb сравнивались с результатами компьютерного моделирования и показали хорошее согласие. Полученные результаты свидетельствуют о высокой степени активации внедрённой примеси Sb (вплоть до 100 %) и об усилении в сильно легированном слое прямозонной фотолюминесценции при 300 К с максимумом при 0,77 эВ.
DOI: 10.15372/AUT20190501
|
