ЭЛЕКТРООПТИЧЕСКИЕ МОДУЛЯТОРЫ НА ОСНОВЕ КРЕМНИЕВЫХ p-n-ДИОДОВ
О.В. Наумова, Б.И. Фомин, Ю.А. Живодков, Э.Г. Зайцева, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
naumova@isp.nsc.ru
Ключевые слова: электрооптический модулятор, кремний на изоляторе, волновод, electro-optic modulator, silicon-on-insulator, waveguide
Страницы: 14-19
Аннотация
Апробирован способ формирования кремниевых электрооптических модуляторов на основе p-n-диодов с использованием локального окисления. Показано, что локальное окисление кремния позволяет сформировать гребень волновода в виде сглаженной трапеции в отличие от классического способа создания гребня волновода прямоугольной формы методом плазмохимического травления. Представлены основные преимущества используемого подхода: контролируемость, воспроизводимость критичных конструктивных параметров модуляторов (ширины, высоты гребня волновода), низкая шероховатость поверхности, возможность применения стандартных для планарной технологии подходов при формировании в гребенчатом волноводе модулирующего p-n-диода комбинированной конструкции.
DOI: 10.15372/AUT20190502
|
