ВЛИЯНИЕ СТУПЕНЧАТОГО ПРОФИЛЯ СОСТАВА НА ФОРМИРОВАНИЕ ИНВЕРСИИ В ПЛЁНКАХ МАТЕРИАЛА КАДМИЙ-РТУТЬ-ТЕЛЛУР
В.А. Стучинский, А.В. Вишняков, Г.Ю. Сидоров
Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск, Россия
stuchin@isp.nsc.ru
Ключевые слова: фотоприёмное устройство, фотодиодная матрица, кадмий-ртуть-теллур, область пространственного заряда, встроенный заряд, инверсия, photoreceiver, photodiode matrix, cadmium-mercury-tellurium, spatial charge region, embedded charge, inversion
Страницы: 40-47
Аннотация
В контексте задачи обеспечения условий для нормальной работы фотоприёмных диодных матриц изучено влияние ступенчатого профиля состава на формирование инверсии в плёнках материала кадмий-ртуть-теллур (КРТ) под действием встроенного заряда Qi изолирующего диэлектрика. Дан анализ задачи максимизации предельно допустимой величины Qi, ещё не приводящей к формированию в системе инверсии, посредством варьирования параметров системы: величины разрыва краёв зон для носителей заряда в КРТ, толщины широкозонного поверхностного КРТ-слоя, температуры и уровня легирования двухслойной плёнки материала КРТ.
DOI: 10.15372/AUT20190506
|
