Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2020 год, номер 5

ТРАНСПОРТНЫЕ СВОЙСТВА ДВУМЕРНЫХ ТОПОЛОГИЧЕСКИХ ИЗОЛЯТОРОВ И ЭКСИТОННЫХ КОНДЕНСАТОВ

"М.В. Боев1,2, Л.С. Брагинский1,3, В.М. Ковалёв1,2, Л.И. Магарилл1,3, М.М. Махмудиан1,3, М.В. Энтин1,3"
"1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
maksiboev@yandex.ru
2Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
vadimkovalev@isp.nsc.ru
3Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
brag@isp.nsc.ru"
Ключевые слова: двумерный топологический изолятор, краевые состояния, низкотемпературная проводимость, экситон, конденсат Бозе-Эйнштейна, two-dimensional topological insulator, edge states, low-temperature conductivity, exciton, Bose-Einstein condensate
Страницы: 112-120

Аннотация

Представлен обзор работ лаборатории теоретической физики Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. Обсуждаются два направления исследований: транспортные свойства двумерных экситонных систем и электронный транспорт в двумерных топологических изоляторах. Существенное внимание уделено экситонным системам в режиме бозе-эйнштейновского конденсата и теории проводимости двумерного топологического изолятора толщиной, близкой к критической, обусловленной разветвлённой сетью краевых состояний, пронизывающей образец.

DOI: 10.15372/AUT20200513