Высокотемпературный отжиг тонких пленок субоксида кремния, полученных методом газоструйного химического осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой
"Е.А. Баранов1, А.О. Замчий1,2, Н.А. Лунев1,2, И.Е. Меркулова1, В.А. Володин2,3, М.Р. Шарафутдинов4, А.А. Шаповалова5"
"1Институт теплофизики им. С. С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия
itpbaranov@gmail.com
2Новосибирский национальный исследовательский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия
zamchiy@gmail.com
3Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия
v.volodin@g.nsu.ru
4Институт химии твердого тела и механохимии СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия
marat@solid.nsc.ru
5Институт неорганической химии им. А. В. Николаева СО РАН, Новосибирск, 630090, Россия
shapovalova@niic.nsc.ru"
Ключевые слова: нанокристаллический кремний, нестехиометрический оксид кремния, синтез тонких пленок
Страницы: 33-41
Аннотация
Методом газоструйного осаждения с активацией электронно-пучковой плазмой синтезированы тонкие пленки аморфного нестехиометрического оксида кремния (а-SiOx:H, 0 < x < 2). Стехиометрический коэффициент пленок а-SiOx:H варьировался в диапазоне 0,47 ÷ 1,63 в зависимости от параметра R, определяемого расходом смеси Ar-SiH4. Высокотемпературный (при температуре 950°С в течение 2 ч) отжиг тонких пленок а-SiOx:H привел к формированию наночастиц кристаллического кремния размером 8,3÷12,3 нм. Показано, что с увеличением параметра R значения степени кристалличности отожженных пленок увеличиваются до 66%. Сделано предположение, что на положение пика нанокристаллического кремния в спектрах комбинационного рассеяния света оказывают влияние механические напряжения. В результате количественной оценки такого напряжения получены значения 1,0÷1,7 ГПа.
DOI: 10.15372/PMTF20220503
|
