ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ КВАНТОВЫХ ЯМ, СВЯЗАННЫХ ТУННЕЛИРОВАНИЕМ
Н.Н. Рубцова, А.А. Ковалёв, Д.В. Ледовских, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин
"Институт физики полупроводников СО РАН, Новосибирск, Россия
rubtsova@isp.nsc.ru"
Ключевые слова: квантовые ямы, электронно-дырочная рекомбинация, туннелирование носителей заряда между квантовыми ямами
Страницы: 37-41
Аннотация
Кинетика сигналов отражения наноструктур, состоящих из одинакового количества квантовых ям одинакового состава InxGa1-xAs (x = 0, 32) с барьерами из GaAs толщиной в 2, 4, 6 и 8 монослоёв, выращенных на полупроводниковом отражателе в одинаковых условиях, исследована методом накачки-зондирования. Обнаружена тенденция к укорочению времени релаксации для более тонких барьеров. Обсуждаются перспективы дальнейших исследований и практического применения квантовых ям, связанных туннелированием носителей заряда.
DOI: 10.15372/AUT20220605
|
