НЕСТЕХИОМЕТРИЧЕСКИЕ ГЕРМАНОСИЛИКАТНЫЕ ПЛЁНКИ НА КРЕМНИИ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ: МЕМРИСТОРЫ И ДРУГИЕ ПРИМЕНЕНИЯ
"В.А. Володин1,2, F. Zhang2, И.Д. Юшков1,2, L. Yin2, Г.Н. Камаев1"
"1Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
volodin@isp.nsc.ru
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
840003068@qq.com"
Ключевые слова: нестехиометрические германосиликатные плёнки, аморфные нанокластеры, структуры металл-диэлектрик-полупроводник, мемристоры, вольт-амперные характеристики, фототок
Страницы: 42-53
Аннотация
Проведён анализ структуры исходных плёнок нестехиометрических германосиликатных стёкол и трансформации их структуры при отжигах с применением спектроскопии комбинационного рассеяния света и ИК-спектроскопии. Показано, что структура плёнок стабильна до температуры 350 ◦C, а при отжигах от 400 ◦C в них формируются кластеры аморфного германия. На базе этих плёнок изготовлены структуры металл-диэлектрик-полупроводник и продемонстрированы перспективы их использования в мемристорах и фотодетекторах.
DOI: 10.15372/AUT20220606
|
