ВЛИЯНИЕ ПОКРЫТИЙ, СОДЕРЖАЩИХ ИОНЫ РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ, НА ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ СТРУКТУР С ПОРИСТЫМ КРЕМНИЕМ
Н.В. Латухина, Д.А. Нестеров, Н.А. Полуэктова, Д.А. Шишкина, Д.А. Услин
"Самарский национальный исследовательский университет им. академика С. П. Королёва, Самара, Россия
natalat@yandex.ru"
Ключевые слова: пористый кремний, солнечные элементы, редкоземельные элементы, вольт-амперные характеристики, вольт-фарадные характеристики, спектры фоточувствительности, рентгеновское излучение
Страницы: 90-97
Аннотация
Исследовано влияние покрытий, содержащих ионы диспрозия или эрбия, на свойства фоточувствительных структур на основе пористого кремния. Измерены вольт-амперные, вольт-фарадные и спектральные характеристики структур с p-n-переходом и плёнками фторида эрбия или диспрозия, а также структуры с оксидным слоем сложного состава, содержащего ионы эрбия. Изучалось влияние рентгеновского излучения с энергией кванта 6,9 КэВ на фотоэлектрические свойства структур с пористым слоем и покрытием из фторида эрбия. Показано заметное влияние покрытия на характеристики структур.
DOI: 10.15372/AUT20220611
|
