СПЕКТРОСКОПИЯ КОМБИНАЦИОННОГО РАССЕЯНИЯ СВЕТА И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ НАНОПРОВОЛОК GaAs
"И.В. Калачев1,2, И.А. Милёхин1,2, Е.А. Емельянов2, В.В. Преображенский2, В.С. Тумашев2, А.Г. Милёхин2, А.В. Латышев2"
"1Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
i.kalachev1@g.nsu.ru
2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
mia2994@gmail.com"
Ключевые слова: фотолюминесценция, комбинационное рассеяние света, ближнепольная оптическая спектроскопия, наноструктуры, нанопроволоки, фононы, локализованный плазмонный резонанс
Страницы: 3-11
Аннотация
Представлены экспериментальные данные по изучению фононных и оптических свойств нанопроволок GaAs ориентации (111), расположенных на золотой подложке с помощью методов спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и фотолюминесценции (ФЛ). Структурные параметры нанопроволок были определены методами атомно-силовой (АСМ) и сканирующей электронной микроскопии (СЭМ). В спектрах микроКРС и микроФЛ отдельной нанопроволоки GaAs наблюдаются моды оптических фононов GaAs и их обертонов, вплоть до третьего порядка, и полоса экситонной фотолюминесценции. В спектрах микроФЛ проявляется анизотропия интенсивности ФЛ в нанопроволоках, причём максимальный/минимальный сигнал наблюдается при направлении вектора поляризации вдоль/поперёк проволоки. Выполнено картирование наноФЛ отдельной нанопроволоки GaAs с пространственным разрешением 20 нм, что существенно меньше дифракционного предела. При переходе к нанометровым масштабам обнаружено плазмонное усиление сигнала ближнепольной экситонной наноФЛ, обусловленное металлизированной АСМ-иглой.
DOI: 10.15372/AUT20230601
EDN: WAPEAU
|
