Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2024 год, номер 2

"ОДНОРОДНЫЙ МАССИВ НАНОЯМОК НА ПОВЕРХНОСТИ СЛОЁВ InAlAs, ВЫРАЩЕННЫХ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВОЙ ЭПИТАКСИИ НА ПОДЛОЖКЕ InP (001)"

"Д.В. Гуляев, Д.В. Дмитриев, А.И. Торопов, С.А. Пономарев, К.С. Журавлев"
"Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
gulyaev@isp.nsc.ru"
Ключевые слова: морфология поверхности InAlAs, наноямки, платформа InP, молекулярно-лучевая эпитаксия
Страницы: 49-55

Аннотация

В представленной работе исследована морфология поверхности слоёв InAlAs при отклонении от решёточно-согласованного состава с подложкой InP. Продемонстрирована возможность формирования массива однородных по размерам и форме наноямок на поверхности слоя InAlAs. Показана линейная зависимость между размерами ямок на поверхности слоя InAlAs и его толщиной.

DOI: 10.15372/AUT20240206
EDN: PDSDHR
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину



Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
Отказаться Принять