Главная – Журналы – Автометрия 2024 номер 2

Исследованы способы пассивации мезаструктур фотоприёмников на основе nBn-гетероструктур InSb/In_1-xAl_xSb, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Мезаструктуры сформированы методами фотолитографии и жидкостного травления. Для пассивации поверхности мезаструктур использовались два различных диэлектрика Al₂O₃ и Si₃N₄. Показано, что диэлектрик Si₃N₄ эффективно пассивирует поверхность мезаструктур, и объёмный канал протекания тока является преобладающим, в мезаструктурах, пассивированных Al₂O₃, доминирует поверхностный ток утечки. При малых обратных смещениях корреляция между величиной тока и площадью мезаструктуры нарушается, что обусловлено влиянием дефектов. Моделирование вольт-амперных характеристик мезаструктур при 77 К показывает, что основной вклад в темновой ток вносит туннельный ток электронов через барьер In_1-xAl_xSb.