Издательство СО РАН

Издательство СО РАН

Адрес Издательства СО РАН: Россия, 630090, а/я 187
Новосибирск, Морской пр., 2

soran2.gif

Baner_Nauka_Sibiri.jpg


Яндекс.Метрика

Поиск по журналу

Автометрия

2024 год, номер 4

ГОФРИРОВАННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ НАНОМЕМБРАНЫ НА ОСНОВЕ НАПРЯЖЁННЫХ ГЕТЕРОСТРУКТУР: ФОРМИРОВАНИЕ И МАГНИТОТРАНСПОРТ

В.А. Селезнев, С.В. Голод, А.Б. Воробьёв, Е.В. Козик, А.В. Принц, В.Я. Принц
"Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
seleznev@isp.nsc.ru"
Ключевые слова: наномембрана SiGe/Si, гофрировка, трёхмерные микро- и нанооболочки, магнитотранспорт
Страницы: 47-54

Аннотация

Работа посвящена фундаментальным исследованиям в области наномеханики гофрированных полупроводниковых наномембран из напряжённых гетероструктур. Приводятся результаты исследования магнитотранспорта двумерного электронного газа в гофрированной наномембране из гетероплёнки GaAs/InGaAs.

DOI: 10.15372/AUT20240406
EDN: LUFVVI
Добавить в корзину
Товар добавлен в корзину



Наш сайт использует куки. Продолжая им пользоваться, вы соглашаетесь на обработку персональных данных в соответствии с политикой конфиденциальности. Подробнее
Отказаться Принять