Главная – Журналы – Автометрия 2024 номер 6

При проектировании устройств терагерцевого диапазона на основе резонансно-туннельных структур с рабочей точкой на участке отрицательной дифференциальной проводимости возникают серьёзные проблемы в прогнозировании вольт-амперных характеристик таких структур. Решается задача прогнозирования вольт-амперных характеристик резонансно- туннельных диодов на участке отрицательной дифференциальной проводимости для устройств преобразования сигналов. Предложен метод расчёта гистерезиса на вольт-амперных характеристиках резонансно-туннельных диодов. Разработанная модель отличается от ранее применявшихся подходов использованием для описания гистерезиса стационарного варианта формализма волновых функций, в то время как ранее применялись нестационарные уравнения формализма функций Вигнера или квантовой гидродинамики. Показано, что гистерезис является следствием межэлектронного взаимодействия в квантовом канале резонансно-туннельной структуры, которое может быть учтено с помощью метода самосогласованного поля. Рассмотрены три типа начальных условий для системы уравнений Шрёдингера - Пуассона, и показано, что появление гистерезиса на вольт-амперных характеристиках резонансно-туннельных диодов достигается применением специальных начальных условий при процедуре самосогласования. Выяснено, что гистерезис проявляется в стационарном случае постоянного напряжения, что возможно предсказать путём вариации начальных условий при проведении процедуры самосогласования.