ВЛИЯНИЕ ТОНКИХ СЛОЁВ CdTe И ZnTe НА ФОРМУ ПОДЛОЖЕК GaAs
А.Р. Новоселов1, Н.Н. Михайлов2, Р.В. Менщиков2, П.А. Алдохин1, А.Е. Маточкин3
1Новосибирский филиал Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники», Новосибирск, Россия
novoselov@oesd.ru
2Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, Новосибирск, Россия
mikhailov@isp.nsc.ru
3Институт автоматики и электрометрии СО РАН, Новосибирск, Россия
matochkin@iae.nsk.su
Ключевые слова: GaAs, CdTe, ZnTe, приборные пластины, ИК-фотоприёмники
Страницы: 80-86
Аннотация
Выяснено влияние на форму приборных пластин (ПП) GaAs формирования тонких слоёв CdTe и ZnTe. При формировании тонких буферных слоёв ZnTe (толщиной 20-300 нм) и CdTe (5-7 мкм) на ПП GaAs (толщиной ∼420 мкм) их изгиб увеличивался более чем на 1 мкм. Найдено технологическое решение уменьшения изгиба приборных пластин GaAs более чем на 1 мкм после формирования тонких слоёв (CdTe и ZnTe), после технологического отжига при температуре 600 ° C в высоком вакууме осуществляется медленное остывание образца (со скоростью 0,5 град/мин) в течение 11 ч.
DOI: 10.15372/AUT20250110
EDN: FEDFGH
|
