О РАСПРЕДЕЛЕНИИ ПОТЕНЦИАЛА В ТОНКИХ СЛОЯХ CdHgTe С ВАРИЗОННЫМИ ОБЛАСТЯМИ
Т. Е. Ковалевская, В. Н. Овсюк
(Новосибирск)
Страницы: 57–69 Подраздел: ЭЛЕМЕНТЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ
Аннотация
Предложен упрощенный метод оценки распределения потенциала в тонких варизонных слоях фоточувствительного полупроводника. В приближении линейной варизонности рассмотрено формирование областей пространственного заряда в пленке полупроводника с варизонным слоем в ее средней части, а также с варизонными слоями вблизи внешних поверхностей, которые используются для управления характеристиками планарных фотодиодов и подавления поверхностной рекомбинации в матричных приемниках ИК-излучения на основе эпитаксиальных слоев теллурида кадмия–ртути.
|